芯片制造电子电镀表界面科学基础研讨活动在京举办-casino plus

9月21日，由中国科协立项支持，中国化学会主办的芯片制造电子电镀表界面科学基础研讨活动在中国科技会堂举办，近30位来自高校、科研院所和企业的一线专家围绕相关议题开展交流研讨。本次活动由中国科学院院士、厦门大学教授孙世刚和中国科学院长春应用化学研究所研究员邢巍担任执行主席，中国科学院过程工程研究所研究员王昊担任学术秘书。

主旨报告环节，厦门大学教授于大全以“超高深宽比硅通孔电镀技术”为题，介绍硅通孔（tsv）技术在芯片三维集成中的重要作用，分析高深宽比硅通孔现状，总结了高密度tsv电镀面临的种子层、电镀液、装备与工艺等方面的关键技术与挑战，指出tsv电镀是电子电镀众多应用中工艺难度大、技术壁垒高、国外垄断最严重的环节，国产替代需求强烈。清华大学教授王琛作“集成电路先进节点互联材料和工艺集成”报告，探讨了后摩尔时代芯片内和芯片间多代候选互连材料及其工艺的潜力及挑战，从材料创新、工艺优化、架构突破、设计范式等多方面综合研判未来互连技术的发展路径，并对超导互连、光互连等颠覆性互连技术进行前瞻性分析。盛美半导体设备（上海）股份有限公司工艺副总裁贾照伟以“中国集成电路电镀装备的发展状态”为题，介绍国际和国内电镀设备市场分布情况，分享公司为打破芯片电子电镀设备的国外封锁进行科技研发攻关情况，展望电镀先进工艺技术发展的趋势及产业布局。

自由发言环节，与会专家围绕芯片制造电子电镀表界面科学基础发展方向、技术路径与挑战、产学研实践等话题，结合研究专长发表各自见解。其中，中国科学院院士、武汉大学教授刘胜强调要重视软件的国产化，通过正向设计，实现芯片电子电镀的可制造性、可靠性、可维护性。孙世刚院士回顾了近年来推动电子电镀行业发展的工作历程，指出应加强芯片制造电子电镀基础研究，重点聚焦解决当前芯片制造电子电镀技术瓶颈。厦门大学教授马盛林认为应借助ai技术突破纵向各链条的数据关联，进行协同研发，形成电子电镀研究新范式。

大家一致认为，芯片制造是以信息技术为引领的第四次工业革命的硬件基础，电子电镀是芯片制造与集成各环节基础性、通用性、不可替代性的技术，其发展水平直接决定高端电子制造业的技术水平。然而，目前我国芯片制造电子电镀的整体技术仍存在短板，面临着材料、技术、设备等多重挑战。建议加强芯片制造电子电镀表界面科学基础研究，为技术和设备开发提供科学依据。要注重人才培养和团队建设，加强产学研结合，推进芯片制造产业的研究与实践应用。

中国科协科学技术创新部供稿